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兰青铜等准一维导体的电荷密波度行为的研究
  • 项目名称:兰青铜等准一维导体的电荷密波度行为的研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:19674068
  • 申请代码:A040203
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:1997-01-01-1999-12-01
  • 项目负责人:张殿琳
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院物理研究所
  • 批准年度:1996
中文摘要:

本项目在三年中共取得以下方面的重要成果1、证明电子态密度在电荷密度波相变点没有反常变化;2.Nb Se3的磁阻不是来源于电荷密度波能隙或电子态密度随磁场的变化;3、兰青铜在极低温的阈值电场和温度无关;兰青铜的介电常数随直流偏置存在明显的回滞现象,证明电荷密度波存在双稳态。5、兰青铜在垂直于导电链的方向上的电导表现出隧道过程的特性。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
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