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磁隧道结中的低温隧道谱及非弹性磁激子和声子激发
  • 项目名称：磁隧道结中的低温隧道谱及非弹性磁激子和声子激发
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：10274103
  • 申请代码：A040207
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2003-01-01-2005-12-01
  • 项目负责人：韩秀峰
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2002
中文摘要：

研究磁隧道结的内禀磁电性质、低温隧道谱和非弹性磁激子激发和声子激发等重要物理问题，探索磁隧道结中磁激子激发和声子激发的物理本质和规律，改进和发展磁隧道结中的自旋极化电子的隧穿和输运理论，为进一步发展用于计算机TMR读出头和MRAM等器件的磁隧道结材料器件解决一些重要基础理论问题。

中文主题词： 磁性隧道结，隧穿磁电阻，隧道谱，磁激子，声子
结论摘要：

英文主题词Magnetic tunnel junction； Tunnel magnetoresistance； Inelastic tunnel spectrum； Magnon； Phonon

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
  • 0
  • 0
  • 0
  • 12
期刊论文
磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转
著作
Thermal stability of Ir-Mn/Co-Fe-B/　Al-O/Co-Fe-B tunnel junctions
Controlled Fabrication of Nickel Perpendicular Nanocontacts using Focused Ion beam Milling
Magnetoresistance nickel nanocontacts fabricated by three different methods.
Current-induced butterfly shaped domains and magnetization switching in magnetic tunnel junctions
Tunneling Current-Induced Butterfly- Shaped Domains and Magnetization Switching in Double-Barrier Magnetic Tunnel Junctions
Magnetic tunnel junctions with MgO/Al-O composite barriers
Magnon and phonon assisted tunneling in a high-magnetoresistance tunnel junction using Co75Fe25 ferromagnetic electrodes.
86% TMR at 4.2K for amorphous magnetic-tunnel-junctions with Co60Fe20B20 as free and pinned layers
Switching properties and dynamic domain structures in double barrier magnetic tunnel junctions
Crystallographic and magnetic properties of Ho3Fe29-xTx (T=V and Cr)
Patterned magnetic tunnel junctions with Al conduction layers: Fabrication and reduction of pinhole effect
Micro-fabrication of magnetic tunnel junctions using Al as bottom conduction electrodes.
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