位置：立项数据库 > 立项详情页
超低开启电场SiC场发射阴极材料
  • 项目名称：超低开启电场SiC场发射阴极材料
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51572133
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：杨为佑
  • 依托单位：宁波工程学院
  • 批准年度：2015
杨为佑的项目
有机前驱体热解构筑SiC低维纳米超晶格阵列及其电学特性
期刊论文 13 专利 4
纳米竹尖阵列设计与制备及其高温场发射特性
期刊论文 15 专利 2
原位生长单晶低维纳米材料自增韧补强纳米复相陶瓷
期刊论文 9 获奖 6 专利 4
SiC柔性场发射阴极材料制备与精细调控及其电子发射特性
期刊论文 1
　SiC纳米阵列精细调控与设计及其电子发射特性研究