欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
III-V族半导体表面和界面的氧化及钝化研究
项目名称:III-V族半导体表面和界面的氧化及钝化研究
项目类别:青年科学基金项目
批准号:11304161
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:王卫超
依托单位:南开大学
批准年度:2013
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
1
0
0
0
0
期刊论文
Materials Design on the Origin of Gap States in a High-κ/GaAs Interface
王卫超的项目
基于莫来石材料的氮氧污染物净化的催化研究
期刊论文 2