位置：立项数据库 > 立项详情页
稀磁半导体HgMnTe体单晶生长理论与技术的研究
  • 项目名称：稀磁半导体HgMnTe体单晶生长理论与技术的研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：59672004
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：介万奇
  • 依托单位：西北工业大学
  • 批准年度：1996
介万奇的项目
　多组元合金及其结构件铸造过程的凝固基础研究
期刊论文 8
化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
期刊论文 149 会议论文 30
探测器级CdZnTe晶体中微观结构缺陷形成机制与表征方法
期刊论文 6
新型非致冷红外探测晶体材料MIT（碲铟汞）合成与单晶生长
期刊论文 37
II-VI族化合物晶体中位错与沉淀相的形成与控制
微重力凝固与结晶
强制对流控制单相与共晶合金定向凝固过程的探索
复杂结构整体近净尺寸铸造的凝固协调控制原理
期刊论文 1