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0.13微米射频SOI器件的总剂量辐射效应机理研究
  • 项目名称：0.13微米射频SOI器件的总剂量辐射效应机理研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61574153
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：陈静
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2015
陈静的项目
低剂量注氧隔离技术氧化埋层形成机理研究
期刊论文 17 会议论文 8 获奖 2