中文摘要：

在低剂量SIMOX研究中故意引入氢、氦等轻型离子或者其它类型的相关缺陷，通过调节注入条件以及退火工艺有意识地控制氧沉淀的成核与生长来获得展宽埋层的SOI片，并研究氧化埋层形成机制，从而通过控制形成埋层过程中的关键因素例如成核温度、退火过程升降温速率、退火气氛含氧比例等来提高埋层质量，并同时得到减少形成SOI结构所需的注入氧剂量即降低生产成本的有效工艺手段，为开发低成本、高效SOI材料制备技术提供理论基础和指导方向。在当前国际国内都将开始SOI使用热潮的状况下，在目前已有的基础上，抓住机会发展有自己知识产权的SOI制备技术将有助于未来立足于SOI技术应用的巨大市场之中。

结论摘要：

在低剂量SIMOX研究中故意引入氢、氦等轻型离子或者其它类型的相关缺陷，通过调节注入条件以及退火工艺有意识地控制氧沉淀的成核与生长来获得展宽埋层的SOI片，并研究氧化埋层形成机制，从而通过控制形成埋层过程中的关键因素例如成核温度、退火过程升降温速率、退火气氛含氧比例等来提高埋层质量，并同时得到减少形成SOI结构所需的注入氧剂量即降低生产成本的有效工艺手段，为开发低成本、高效SOI材料制备技术提供理论基础和指导方向。在当前国际国内都将开始SOI使用热潮的状况下，在目前已有的基础上，抓住机会发展有自己知识产权的SOI制备技术将有助于未来立足于SOI技术应用的巨大市场之中。