建立了测定原子分辩率晶体缺陷的新方法。从一幅场发射高分辩电子显微像出发,无需结合电子衍射信息,经过解卷处理,即可清晰分辩晶体缺陷区的单个原子。用此方法研究了Ge Si外延膜与衬底Si之间的缺陷,得到了60拔淮矸纸馕礁霾蝗淮恚浼浼凶乓黄愦淼脑臃直缏释枷瘛7⒄沽吮鞠钅可昵肴说人⒌牟舛ň褰峁沟牡缱泳逖Ф酵枷翊矸椒ǎ孕UρУ缱友苌湫вψ隽松钊氲难芯浚越饩泶碇忻菜贫嘟獾南窒蠼辛松钊胂钢碌姆治觯妨⒘颂粞≌娼獾姆椒ǎ慕说髦平峁沟慕饩砗拖辔煌馔撇街瑁诖嘶∩喜舛怂母鑫⑿【宓奈粗峁梗渲辛礁鍪歉呶鲁蓟衔锖鸵桓鲇敫呶鲁加泄氐幕衔铮幸桓龉群鸵桓鑫薰鹊髦平峁埂?Esummary=