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高技术新材料原子分辨率晶体缺陷研究
  • 项目名称：高技术新材料原子分辨率晶体缺陷研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50072043
  • 申请代码：E0201
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2001-01-01-2003-12-01
  • 项目负责人：李方华
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2000
中文摘要：

借助本组近年建立的场发射高分辨电子显微像图像处理方法，校正像中高分辨率的畸变结构信息，得出半导体、超导体等材料的块材和薄膜中原子水平晶体缺陷的直观图像，并进一步发展该图像处理方法，以达到充分利用新一代场发射枪电镜有高信息分辨极限的特点，为探索材料结构与性能之间关系提供其它方法所得不到的原子分辨率晶体缺陷资料。

中文主题词： 高分辨电子显微学；电子晶体学；位错核心结构；半导体材料；解卷
结论摘要：

英文主题词High resolution electron microscopy; Electron crystallography; Dislocation core structure; Semiconducter materials; Deconvolution

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 0
  • 11
  • 0
  • 0
  • 5
会议论文
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