通过结构优化和功能设计,提高纳米信息存储材料的稳定性和重复性是超高密度信息存储的重要研究方向之一。本项目基于具有结构双稳态特性的一类有机分子薄膜材料,包括聚酰亚胺(PI)聚合物单层薄膜和Rose Bengal/PMMA复合薄膜,通过扫描隧道显微镜(STM)电压脉冲进行具有可逆分子电导转变的稳定、可重复擦写的超高密度信息存储研究。通过结构优化,改进有机分子的结构基团,调控分子之间的相互作用,制备得到了连续平整的纳米信息存储薄膜材料,具有重复﹑可逆﹑动态的电导相变,开关比约100左右。采用STM电压脉冲技术,在薄膜上实现了稳定、重复、可擦写的超高密度信息存储,在Rose Bengal/PMMA薄膜上的电导转变时间缩短到60ns,每个信息点大小约2nm。本项目的研究成果为用于超高密度信息存储器件的实用化材料的探索提供了有价值的信息。
英文主题词electrical bi-stable organic molecues; ultrahigh density data storage; STM; stability, thin film