中文摘要：

基于我们提出的以纳米碳管为代表的准一维纳米材料结构电性模型，充分考虑准一维纳米材料中拓扑缺陷的结构、分布及类型，结合考虑实际体系中的非近邻电子跃迁、电子-电子相互作用、电声耦合及键弯曲效应等系统因素及其相互作用，进一步采用密度泛函理论、分子动力学模拟和格林函数结合数值计算的方法，研究准一维纳米材料中不同结构，分布不同及不同的排列方式的拓扑缺陷的稳定结构及电子态，探讨这些拓扑缺陷对系统的电学性能及电子输运过程的影响，揭示拓扑缺陷与电子输运特性之间的关系，寻找一组缺陷结构-输运特性的有效的控制参数体系，为使纳米材料朝纳米量子结构的实用化方向迈进提供理论依据，为设计新型的纳米量子器件指出途径，这对纳米输运材料及纳米器件的研制具有重要的应用前景。

结论摘要：

基于我们提出的以纳米碳管为代表的准一维纳米材料结构电性模型，充分考虑准一维纳米材料中拓扑缺陷的结构、分布及类型，结合考虑实际体系中的非近邻电子跃迁、电子-电子相互作用、电声耦合及键弯曲效应等系统因素及其相互作用，进一步采用密度泛函理论、分子动力学模拟和格林函数结合数值计算的方法，研究准一维纳米材料中不同结构，分布不同及不同的排列方式的拓扑缺陷的稳定结构及电子态，探讨这些拓扑缺陷对系统的电学性能及电子输运过程的影响，揭示拓扑缺陷与电子输运特性之间的关系，寻找一组缺陷结构-输运特性的有效的控制参数体系，为使纳米材料朝纳米量子结构的实用化方向迈进提供理论依据，为设计新型的纳米量子器件指出途径，这对纳米输运材料及纳米器件的研制具有重要的应用前景。