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中文摘要：
冷阴极场发射材料在真空电子器件（如行波管和场发射平板显示器等）有重要应用,而具有低阈值发射电场和高发射电流密度的场发射材料的大面积制备是制作冷阴极电子源的核心技术。已经发现碳纳米管具有低的阈值电场和较好的场致发射特性，但是为了克服它功函数高、电子性质难以控制等困难，寻找更优越的新型准一维场发射纳米材料已经成为一个新的研究热点，而开拓新型准一维纳米材料在器件上的应用是进一步推动该领域研究深入发展的关键步骤。本项目以具有低阈值发射电场和高发射电流密度的高熔点低功函数的金属材料（如钨和钼）及其氧化物纳米线为主要对象，开展它们的研制并首次探索它们在平面发光器件上应用的可行性。重点围绕器件应用的要求，研究材料的生长方法、条件等对大面积场发射的影响规律和高质量大面积可控均匀生长的科学原理，探索纳米线平面光源的设计原理、制作技术和应用前景。
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Fully Sealed Carbon Nanotube Flat-Panel Light Source and Its Application as Thin Film Transistor-Liq
The Roles of Apex Dipoles and Field Penetration in the Physics of Charged, Field Emitting, Single-Wa
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