中文摘要：

本研究将开展半导体纳米线阵列的化学制备，改性，表征，及其场致电子发射机理和应用的研究工作。主要研究内容包括铜系化合物半导体纳米线阵列的制备及通过掺杂和表面涂层来改变纳米线的性质、半导体纳米线基本特性的表征、纳米线阵列的定域生长技术。本研究将在温和条件下（室温，常压）无模生长出半导体纳米线阵列并研究其生长机理。同时，将研究光、温度对半导体纳米线阵列的场致电子发射特性的影响、半导体纳米线场致电子发射机理及其在场发射器件等方面的应用。本研究对于新型半导体纳米线材料的制备技术及其在新型场致电子发射器件应用有重要的意义。

结论摘要：

半导体纳米结构包括纳米线、纳米带。纳米管等，种类繁多。它们作为纳米功能材料在未来的纳电子、纳光电子，纳米传感器和纳米生物技术等方面有重要的应用前景。本项目探索了新型氧化物和硫化物等体系的半导体纳米结构及其相关材料的制备和应用。我们发展或完善了多种制备方法，制备出20多种新型纳米材料。采用制备的方法主要包括热氧化法、热蒸发法、SLSS、气相传输、气固相反应、溶液法等。我们系统表征了制备的纳米材料的结构。实现了多种纳米线和纳米带等的大面积有序可控生长。提出了若干种新的生长机理。研究了制备的纳米材料的物理性质。包括发光、场致电子发射和拉曼散射等。我们还探索了纳米材料在气敏器件、生物传感器件和场发射发光器件上的应用。本项目的成果对于纳米技术的发展有重要意义。