中文摘要：

Ga2-xFexO3是少数几种单相铁电磁体材料之一，同时具有自发磁化和自发电极化，具有磁-电耦合效应，通过外加电场可控制电子自旋磁化取向，反之，通过外加磁场可控制电极化取向。因此，作为新型自旋电子学器件的设计材料，增加了一个新的自由度，是下一代电子学器件的理想候选材料，应用前景十分广阔，涉及众多可能的应用领域。Ga2-xFexO3可采用Fe2O3和Ga2O3通过固相反应法制备。通过前期探索性研究，我们已确认 Ga2-xFexO3至少存在两种晶型，并对相应的物性进行了初步测试，在此基础上，本项目将主要针对以下问题开展研究1）Ga2-xFexO3是否与Fe2O3一样存在多种晶型？实现的具体条件是什么？各晶型间发生结构相变的条件及机理？2）相应于各晶型的磁有序结构与磁特性。通过本项目的研究, 在Ga2-xFexO3中发现新的结构、磁性能、电学性能等，探究磁性能、电性能等调控的新途径。

结论摘要：

本项目以多铁性材料Ga2-xFexO3作为研究对象，通过传统的固相反应、溶胶-凝胶、以及高压极端条件下的固相反应等方法，研究了Ga2-xFexO3存在的多晶型及实现条件，各种晶型之间的结构相变、条件及机理；同时，研究了相应于各种晶型的磁有序结构、磁特性及它们与晶体结构之关联，对调控晶体结构和磁结构的有效途径与调控机理做了一些探索研究。