本项目旨在探索一种新方法,解决单根金属纳米线电学测量中的关键问题。方法的核心是采用电化学技术制备具有单个纳米通孔的模板,然后沉积单根金属纳米线,通过在纳米线端头生长大的"头冠"再制作接触电极,实现纳米线的可靠电接触。进而从实验上深入研究铜、金、锑等纳米线的电荷输运特性与纳米线直径和结晶状态的关系,并研究单根金属纳米线的场发射特性。这些都是当前纳米电子学领域的前沿课题,对于新概念纳米电子器件的提出和实现具有基础性的重要意义。