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绝缘层上锗新材料的研究
  • 项目名称：绝缘层上锗新材料的研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60776002
  • 申请代码：F040104
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2008-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人：刘卫丽
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2007
中文摘要：

绝缘层上锗（GOI）具有高速的特点，是集成电路45纳米特征尺寸以下的新一代高端硅基衬底材料，同时该材料在光电集成和光互连上也有重要的意义。本课题采用键合和薄膜转移的方法制备GOI材料，针对该技术目前存在的主要问题和难点进行研究，深入研究硼、氢等离子注入后与锗单晶的相互作用，探索低温剥离工艺；系统研究不同等离子体处理条件对键合表面和界面的影响，提高锗和氧化硅片的表面亲水性能，在低温下获得较好的键合界面和强度；研究提高GOI晶体质量的途径，掌握GOI特殊的结构和电学表征方法；为45nm以下纳电子时代提供关键材料和技术基础。

中文主题词： 绝缘层上锗，GOI，低温键合，离子注入
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期刊论文
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会议论文
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