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柔性基底碳纳米管薄膜器件阈值电压非稳机理研究
  • 项目名称:柔性基底碳纳米管薄膜器件阈值电压非稳机理研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:61204090
  • 申请代码:F040406
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:仇志军
  • 依托单位:复旦大学
  • 批准年度:2012
中文摘要:

碳纳米管网络结构薄膜器件避免了单根碳纳米管所带来的个体差异和制备工艺上的复杂性,并且具有在任意柔性衬底上通过喷墨印刷工艺实现的优点,而成为目前工业界和学术界研究热点。然而碳纳米管薄膜器件中的阈值电压非稳现象是其成为真正可靠逻辑器件的一大障碍。因此,本项目针对柔性基底上单壁碳纳米管网络结构薄膜器件中出现的阈值电压非稳现象,系统的研究各种可能导致阈值电压飘移的物理来源,阐明其中物理机制,建立一套电学测量和表征测试系统,进而对衬底、栅介质和碳纳米管进行相应的物理化学处理以达到消除阈值电压漂移的目的,最终在柔性基底上通过喷墨印刷方式实现性能稳定的低电压驱动碳纳米管薄膜晶体管,为柔性电子器件的应用发展进行有益探索并提供参考借鉴价值。

结论摘要:

英文主题词Carbon nanotube;Thin film transistor;Threshold voltage;Instability;Flexible substrate


成果综合统计
成果类型
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