中文摘要：

本项目以研究和探讨自旋阀隧道效应（Spin Valve-type Tunneling Magneto Resistance;SV-TMR)多层薄膜的自由层为模拟的SiO2/NiFe/Ru多层薄膜的制备，微结构，特别是保护层Ru对自由磁性层NiFe的影响为主要目的。SV-TMR多层膜每层的厚度只有纳米数量级，所以界面的作应就非常重要。从本质上说，TMR效应就是一种界面现象，界面结构的任何变化都可能对磁性产生较大的影响。所以这些界面微结构细节的研究，更好地理解TMR效应对于研制用于计算机的新一代磁动态随机存储器(MRAM) 和磁头及其它磁敏感的电压和温度传感器等器件具有重要的实验和理论价值。预期在探明薄膜制备过程和规律中提出改善SV-TMR多层膜性能方面有新的发现和研究结果。也为深一步提高和发展新疆地区的科学技术特别是磁性材料研究和应用打下一定的基础.