高速复用光通信网中,温度变化容易引起波长漂移,从而导致光信道的串扰。因此对光电子器件的热电管理是一项十分重要的课题。碲化铋是室温下热电性能最好的热电材料之一,可替代传统的Ⅲ-V半导体冷却材料。基于纳米技术的高优值(ZT)热电材料研究,既可以采用量子限域效应来提高热电材料的功率因子,同时能够降低材料的晶格热导率。本项目基于密度泛函理论和有限元等方法计算纳米碲化铋及其掺杂体系的电子结构、化学键、塞贝克系数、电导率等参数,并结合波尔兹曼输运理论研究材料的ZT及其值变化规律。
英文主题词Optoelectronic device;Bi2Te3;Thermoelectric material;Nano structure;merit value