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第三代（宽禁带）半导体军用电子材料和器件基础研究
  • 颁奖组织：中华人民共和国工业和信息化部
  • 类别：国防科学技术进步奖
  • 级别：一等奖，排名第二，证书号:2009GFJBJ1037
  • 所属机构名称：中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 成果类型：获奖
  • 相关项目：InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
作者： 冯志红|
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InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
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