位置：成果数据库 > 获奖 > 获奖详情页
高端硅基SOI材料研发和产业化
  • 类别：2006国家科技进步奖一等奖
  • 级别：一等奖
  • 所属机构名称：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 成果类型：获奖
  • 相关项目：低剂量注氧隔离技术氧化埋层形成机理研究
作者： 王曦，林成鲁，张苗，陈猛，俞跃
同获奖项目
低剂量注氧隔离技术氧化埋层形成机理研究
期刊论文 17 会议论文 8 获奖 2
同项目获奖
高端硅基SOI材料研究和产业化