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LP-MOCVD 生长 InAs/GaSb 超晶格材料的 Raman 分析
  • 所属机构名称：吉林大学
  • 会议名称：第十七届全国半导体物理学术会议
  • 成果类型：会议
  • 会场：130012吉林省长春市前进大街2699号
  • 相关项目：非致冷InAs/GaSb II型超晶格红外探测器的研制
作者： 殷景志1，汪韬2，王警卫2，尹飞2，王一丁1, 宋振宇1,，杜国同1|
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