位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
不同隧穿势垒对 I n0.53Ga0.47As 光伏 探测器 R 0A 影响的研究
  • 所属机构名称：吉林大学
  • 会议名称：中国物理学会2009 年秋季学术会议
  • 成果类型：会议
  • 会场：上海
  • 相关项目：非致冷InAs/GaSb II型超晶格红外探测器的研制
作者： 殷景志，时宝，李龙海，马艳，高福斌，王一丁, 杜国同|
同会议论文项目
非致冷InAs/GaSb II型超晶格红外探测器的研制
期刊论文 8 会议论文 4
同项目会议论文
LP-MOCVD 生长 InAs/GaSb 超晶格材料的 Raman 分析
Ⅱ型 InAs/GaSb 超晶格材料的低压 MOCVD 生长
温度对 p-In1-xGaxAs 材料 Auger 复合寿命影响的研究