中文摘要：

InAs/GaSb II型超晶格材料的带隙变化范围宽，做成的探测器波长可覆盖3-30μm，与HgCdTe探测器相比具有低的暗电流、高的工作温度和更好的空间均匀性。10μm工作波长的探测器在军事和民用方面有着广泛的应用。为了获得非致冷10μm II型超晶格红外探测器我们开展了下面的研究工作 ①研究了10μm工作波长对应的不同InAs厚度和GaSb厚度及周期与禁带宽度和能带结构的关系，优化材料的空间结构获得了能抑制Auger-1、Auger-7复合的InAs和GaSb厚度； ②用LP-MOCVD法生长优化的材料空间结构，借助AFM、TEM和Raman等仪器设备，开展了在n-GaSb(100)衬底上生长超晶格最佳温度、界面层类型、过渡层选择和V/III比等的研究，获得了生长10μm InAs/GaSb超晶格的最佳生长温度500℃-520℃；引入InAsSb界面层改善晶体质量；InAsⅤ/III比3-8，GaSbⅤ/III比1-6； ③利用PL谱测试获得了峰值波长为10μm的超晶格材料，FWHM为30meV； ④开展制作II型超晶格红外探测器工艺的研究，获得了器件的I-V曲线。