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1.3-2.4微米InP基低维InAs材料的MOVPE生长
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：第十七届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
  • 时间：2012.10.15
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：基于MOCVD高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长及激光器应用研究
作者： 季海铭|罗帅|杨涛|
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基于MOCVD高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长及激光器应用研究
期刊论文 9 会议论文 18
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