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图形衬底上InAs纳米线阵列的MOCVD无催化生长
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：第十二届全国MOCVD学术会议
  • 时间：2012.4.13
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：基于MOCVD高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长及激光器应用研究
作者： 罗帅|季海铭|陈清|杨涛|
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