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Effect of arsenic doping on charge relaxation process in silicon nitride film for Capacitive RF MEMS
  • 所属机构名称:太原理工大学
  • 会议名称:The 40th International Conference on Micro and Nano Engineering 2014 (MNE2014)
  • 时间:2014.9.22
  • 成果类型:会议
  • 相关项目:电容式RF MEMS开关介质中电荷积累机理及其消除方法的研究
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