位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Correction in Threshold Voltage Model Accounting for Quantum Effects in Strong Inversion Channel
  • 所属机构名称：安徽大学
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
同会议论文项目
异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
期刊论文 17 会议论文 5
同项目会议论文
A New Dual-Material Gate LDMOS for RF Power Amplifiers
Physics-based Modeling and Simulation of Dual Material Gate(DMG) LDMOS
Polysilicon Gate Quantum Effect Model for Nanoscale MOSFET’s
Compact model of surface potential in strong inversion channel