欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
Polysilicon Gate Quantum Effect Model for Nanoscale MOSFET’s
所属机构名称:安徽大学
成果类型:会议
相关项目:异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
同会议论文项目
异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
期刊论文 17
会议论文 5
同项目会议论文
A New Dual-Material Gate LDMOS for RF Power Amplifiers
Physics-based Modeling and Simulation of Dual Material Gate(DMG) LDMOS
Compact model of surface potential in strong inversion channel
Correction in Threshold Voltage Model Accounting for Quantum Effects in Strong Inversion Channel