异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型

项目名称：异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
项目类别：面上项目
批准号：60576066
申请代码：F040502
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2006-01-01-2008-12-31

项目负责人：陈军宁
负责人职称：教授
依托单位：安徽大学
批准年度：2005

中文摘要：

异质栅多阶梯场极板HMLDMOS采用栅工程的概念，通过对栅和场极板的设计，得到小的导通电阻和耐高压的LDMOS。所设计的栅有S-gate 和D-gate 两块并列组成，S-gate用高功函数材料作为电极，D-gate用低功函数材料作为电极。由于靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压，沟道中产生阶梯分布电势，电场沿沟道分布比较均匀，载流子可以得到更大的漂移速度，其结果是提高了驱动电流、跨导和截止频率。多阶梯场极板降低了漏漂移区末端的最大场强，因而可以缩短场极板长度，提高表面击穿电压，减小漂移区电阻。我们将利用在数值模拟中得到的高压LDMOS的伏安特性经验公式,建立整个导通区的LDMOS统一电流公式，进而建立用于IC CAD模拟的HMLDMOS和高压LDMOS的宏模型。由于模型采用统一的电流公式，因而在电路模拟时将更准确，速度更快。

中文主题词：异质栅;多阶梯场极板;HMLDMOS;统一的电流公式;SPICE模型

成果综合统计