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Floating-Body-Correlated Subthreshold Behavior of SOI NMOS Device Consdering Back-Gate-Bias Effect
  • 所属机构名称:北京大学
  • 会议名称:Spanish Conference on Electron Devices
  • 时间:2015.2.12
  • 成果类型:会议
  • 相关项目:用于亚40纳米先进金氧半绝缘体上硅技术的精简模型研究
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