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Work Function Modulation For TiN/Ta/TiN Metal Gate Electrode
  • 所属机构名称：复旦大学
  • 会议名称：2010 IEEE International Conference on Soli-state and Integrated Circuits Technology
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：Si(110)衬底上杂质分凝肖特基结源漏形成及其机理研究
作者： 王晓荣|蒋玉龙|谢琦|
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