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Modulation of Schottky Barrier Height for NiSi/Si(110) Diodes Using an Antimony Interlayer
  • 所属机构名称：复旦大学
  • 会议名称：IEEE Int. Interconnect Technol. Conf. Mater. Adv. Met.
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：Si(110)衬底上杂质分凝肖特基结源漏形成及其机理研究
作者： 郭骁|许耀娟|蒋玉龙|
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