位置:成果数据库 > 会议 > 会议详情页
New High Voltage SJ-LDMOS with Non-uniform N-buried Layer
  • 所属机构名称:电子科技大学
  • 会议名称:2007 International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology (IEDST 2007)
  • 成果类型:会议
  • 相关项目:新型三维超结表面低阻通道横向功率MOS器件
同会议论文项目
同项目会议论文