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Novel SJ-LDMOS with Partial N-Buried Layer for SPIC Applications
  • 所属机构名称：电子科技大学
  • 会议名称：The 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：新型三维超结表面低阻通道横向功率MOS器件
作者： Zhaoji Li|Wanjun Chen|Bo Zhang|
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