中文摘要：

高速、低损耗、可集成的功率器件是目前功率半导体乃至集成电路研究的热点。本项目首次提出三维超结（super junction）表面低阻通道横向功率MOS器件――SLOP-LDMOS (surface low on-resistance path lateral double-diffusion MOS)新结构。新结构引入的三维超结位于横向功率器件漂移区浅表面，通过三维超结结构的Z方向电场提高掺杂浓度，以提供开态时的低阻通道。器件主要耐压仍由三维超结下的常规RESURF结构所承担，异于习用超结作为耐压层以同时提供耐压和低阻的思路。新结构为一普适结构，可扩展到其它功率器件研究中，易于集成，能实现高速、高压、低阻且与低压器件兼容的目的。本项目是一项具有国际先进水平的基础性开拓研究，具有重要意义。