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thermal analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transisitors by infrared microscopy
  • 所属机构名称：中国科学院微电子研究所
  • 会议名称：19th international symposium on the physical & failure analysis of integrated circuits
  • 时间：2012.7.3
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：AlGaN/GaN HEMT低频噪声与器件可靠性相关性的研究
作者： 赵妙/刘新宇/郑英奎/魏珂/李艳奎|
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