位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Study of SOI substrates incorporated with buried MoSi2 layer
  • 所属机构名称：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：类金刚石薄膜为绝缘埋层的SOI新材料研究
同会议论文项目
类金刚石薄膜为绝缘埋层的SOI新材料研究
期刊论文 7 会议论文 2
同项目会议论文
等离子体表面低温活化对晶圆键合的影响