欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
Study of the integrated growth of dielectric films on GaN semiconductor substrates
所属机构名称:电子科技大学
会议名称:IMF-ISAF-2009
成果类型:会议
会场:西安
相关项目:铁电-铁磁多层复合薄膜中界面应力对结构和性能作用规律的研究
作者:
Li, Yanrong|Zhu, Jun|Luo, Wenbo|
同会议论文项目
铁电-铁磁多层复合薄膜中界面应力对结构和性能作用规律的研究
期刊论文 38
会议论文 7
专利 2
同项目会议论文
Ferroelectric and magnetic behavior of Pb(Zr0.52Ti 0.48)O3 based magnetoelectric nanocomposite films
Ferroelectric and Magnetic Behavior of Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3 Based Magnetoelectric Nanocomposite Films
Enhanced dielectric characteristics of manganese-doped bzt thin films
Microstructural and electrical properties of ferroelectric/ZnO heterostructures
Impact of B-site Hf 4+-doping on the structural and ferroelectric properties of Bi 4 Ti3O12 thin fil
Dielectric characteristics of BST/BZT/BST multilayer