位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Si/Ge Separated Absorption Charge Multiplication Avalanche Photodetector with Low Dark Current
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：The 6th IEEE International Conference on GFP
  • 成果类型：会议
  • 会场：San Francisco, CA, United states
  • 相关项目：绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究
作者： Buwen Cheng|Chunlai Xue, Haiyun Xue, |Anqi Bai, Weixuan Hu, Yude Yu and Qiming Wang|
同会议论文项目
绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究
期刊论文 18 会议论文 7 专利 2
同项目会议论文
Silicon-based long wavelength photodetectors
Si 基高速 Ge 探测器及其阵列
Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer
Fabrication of Silicon-based Template-assisted Nanoelectrode Arrays and Ohmic Contact Properties Inv
基于 PAA 膜的硅基纳米阵列制备工艺及其光电性质研究
Electroluminescence of Ge and photoluminescence of Ge/Si0.15Ge0.85 quantum wells at room temperature