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中文摘要：
绝缘层上弛豫SiGe和Ge材料将SiGe技术与SOI技术结合起来，是新一代微电子和光电子材料。课题提出采用柔性键合与智能剥离技术，将应变的SiGe/Si材料与SiO2/Si进行柔性键合，并使SiGe的应变弛豫，从而制备出SGOI材料。同时采用低温过渡层技术，在SOI衬底上直接外延生长应变弛豫的SiGe和Ge材料，使晶格失配引起的应变以Lomer位错的形式在界面处释放，从而保障外延材料有良好的晶体质量。课题研究了应变SiGe材料的生长、SiGe/Si与SiO2/Si柔性键合、SiGe/Si智能剥离技术、应力的弛豫过程，探索了一种实现SGOI材料的新方法。采用低温过渡层技术，研究了Ge和SiGe应力弛豫材料的生长，并用生长的材料开展了发光器件、光电探测器等的研究。在Si和SOI上制备出了应变弛豫的SiGe和Ge材料，材料穿透位错密度约1E5cm-2。首次研制出了Ge/Si异质结室温LED。研制出SOI上的Ge高速光电探测器及其阵列，器件在1310nm和1550nm波长下的响应度为0.64A/W和0.31A/W，-3V偏压下的3dB带宽达到13.3GHz。
结论摘要：
英文主题词SiGe；Ge；Stain; Bonding;SOI
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