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A Novel Recessed-channel Tunneling FET Design with Boosted Drive Current and Suppressed Leakage Curr
  • 所属机构名称：复旦大学
  • 会议名称：IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT'12
  • 时间：2012.9.30
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：隧穿场效应晶体管在存储器应用中的探索与研究
作者： Xiao-Yong Liu|Qing-Qing Su|Peng-Fei Wang|David Wei Zhang|
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