中文摘要：

针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器（LNA）.通过引入共栅（CG）和共源（CS）结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数（NF）.经标准0.18μm CMOS工艺实现后,版图后模拟结果表明在1.5-5GHz频率范围内功率增益（S21）为11.45±0.05dB,在2-6GHz频率范围内噪声系数（NF）为5.15±0.05dB,输入损耗（S11）小于-18dB.在5GHz时,模拟得到的三阶交调点（IIP3）为-7dBm,1dB压缩点为-5dBm.在1.8V电源电压下,LNA消耗6mA的电流,版图实现面积仅为0.62mm^2.

英文摘要：

A two-stage 1.5-6GHz CMOS Low Noise Amplifier（LNA） for Ultra-Wide-Band（UWB） applications is presented.By introducing common-gate（CG） and common-source（CS） stages to obtain broad-band input matching and current mirror to reuse current through a peaking inductor,the proposed LNA has achieved extra flat power gain and Noise Figure（NF）.This LNA has been implemented by a 0.18μm standard CMOS process.Post simulation results have indicated that the power gain（S21） achieves 11.45±0.05dB over the wide frequency band of 1.5-5GHz,and NF maintains 5.15±0.05dB from 2GHz to 6GHz with input return loss（S11）-18dB in the entire band.The simulated input-referred third-order intercept point（IIP3） at 5GHz is -7dBm,while the 1dB compression point is-5dBm.It draws 6mA from 1.8 V supply and occupies an area of only 0.62mm^2.