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InP基/GaN基器件与电路在微波毫米波领域“大显身手”

ISSN号：0469-5097
期刊名称：《南京大学学报：自然科学版》
时间：0
分类：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]
作者机构：[1]中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路实验室
相关基金：超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究（项目编号：2010CB327500）

作者：刘新宇[1], 王鑫华[1], 黄森[1], 罗卫军[1], 苏永波[1], 姚鸿飞[1]

关键词： GaN, INP, 微波毫米波, 化合物半导体, 磷化铟, 超视距, 地方信息, 现代战争, 现代雷达, 氮化镓

中文摘要：

你知道现代战争是依赖什么布下天罗地网,获取地方信息并实行精确打击的吗？知道天气预报是靠什么探测气象信息吗？知道为什么飞机可以在漆黑的夜空安全飞行吗？对,就是因为雷达——奇特神秘的超视距眼睛。它自投入军旅以来,便用无形的手左右着战局,如今,已经成了影响现代战争的关键因素之一。而化合物半导体集成电路的出现顺应了现代雷达（毫米波雷达）的发展需求,尤其是磷化铟（InP）基和氮化镓（GaN）基器件与电路。

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