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　超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究
  • 项目名称：　超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究
  • 批准号：2010CB327500
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：刘新宇
  • 依托单位：中国科学院微电子研究所
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 13
  • 0
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期刊论文
A revised approach to Schottky parameter extraction for GaN HEMT
AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合
GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究
高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器
An 8 GHz high power AlGaN/GaN HEMT VCO
基于光纤的矢量和微波光子移相器研究
新型数控光纤矢量和微波光子移相器
The microwave large signal load line of an InGaP HBT
InP基/GaN基器件与电路在微波毫米波领域“大显身手”
超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究
最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT
一种改进的基于多段信号融合的频率估计算法
刘新宇的项目
Si基GaN增强型电力电子器件研究
期刊论文 3
AlGaN/GaN HEMT飞秒超快特性的研究
期刊论文 5 会议论文 1 专利 3