位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析
  • 期刊名称:《微电子学与计算机》,第24卷,第11期,p17-20,2007年11月
  • 时间:0
  • 相关项目:复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
同期刊论文项目
期刊论文 10 会议论文 6
同项目期刊论文