欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
高压LDMOS I-V特性宏模型的建立
期刊名称:《微电子学与计算机》,第24卷,第8期,p11-13,2007年8月
时间:0
相关项目:复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
同期刊论文项目
复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
期刊论文 10
会议论文 6
同项目期刊论文
Modeling of Gate Capacitance f
A New Method for Studying the
摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特
对异质栅LDMOS的物理建模和仿真
复合多晶硅栅LDMOS的设计
全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析
基于二维电势分布的一种新型复合
阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真
Au纳米晶MIS结构存储性能研究