位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究
  • ISSN号：1006-2467
  • 期刊名称：《上海交通大学学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：复旦大学微电子学系, 复旦大学微电子学系 上海200433, 上海200433
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(90607019)
作者： 孙亮, 朱莲, 薛原, 丁士进, 张卫
关键词： SiOC, 密度泛函理论, 吸水反应
中文摘要：

利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiO2低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现—CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分子吸附于Si-CH3反应位情况下的吸水反应.当SiOC薄膜表面吸附多个水分子,并且水分子以二聚物形式存在时,吸水反应的势垒明显降低.

同期刊论文项目
SiOC低介电常数互连介质的性能增强及其机理研究
期刊论文 12 会议论文 2
同项目期刊论文
Effects of NH3 Plasma Pretreatment on Initial Reactions of Atomic Layer Deposition TaN Barrier Layer
Influence of NH3 plasma treatment on chemical bonding and water adsorption of low-k SiCOH film
SiOC 低介电常数介质吸湿机理的理论研究
Formation and Effects of Void in VDMOS Die Attach Process
Atomic scale study of the degradation mechanism of boron contaminated hafnium oxide
Impact of germanium related defects on electrical performance of hafnium oxide
Effect of rapid thermal annealing on optical and interfacial properties of atomic-layer-deposited Lu
Improvement of Atomic-Layer- Deposited Al2O3/GaAs Interface Property by Sulfuration and NH3 Thermal
Observation of near interface oxide traps in single crystalline Nd2O3 on Si(111) by quasistatic C-V
VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响
直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
期刊信息
  • 《上海交通大学学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中华人民共和国教育部
  • 主办单位:上海交通大学
  • 主编：郑杭
  • 地址：上海市华山路1954号15F
  • 邮编：200030
  • 邮箱：shjt@chinajournal.net.cn
  • 电话：021-62933373 62932534
  • 国际标准刊号：ISSN：1006-2467
  • 国内统一刊号：ISSN：31-1466/U
  • 邮发代号:4-256
  • 获奖情况:
  • 1996年全国优秀科技期刊奖,1992年、1996年、1999年国家教育部系统优秀科技期刊奖,2002年“百种重点期刊奖”,2003年百种中国杰出学术期刊,2004年教育部全国高校优秀科技期刊一等奖,2004年“百种重点期刊奖”
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30903