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SiOC低介电常数互连介质的性能增强及其机理研究
  • 项目名称：SiOC低介电常数互连介质的性能增强及其机理研究
  • 项目类别：重大研究计划
  • 批准号：90607019
  • 申请代码：F040601
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-07-01-2008-12-31
  • 项目负责人：张卫
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：复旦大学
  • 批准年度：2006
中文摘要：

在ULSI中互连延迟已成为制约集成电路速度的主要因素，减小互连延迟是未来SOC工艺发展的关键之一。采用低介电常数介质可以有效降低互连延迟，然而低介电常数介质通常机械性能较弱,进而引起电路互连的失效。本项目针对SiOC低介电常数介质在铜互连工艺中应用存在的问题，研究紫外辐射和等离子体处理对其结构和性能的改进机理，以及改性后低介电常数介质和超薄扩散阻挡层的界面反应。通过控制处理的工艺条件，揭示紫外辐射

中文主题词： 铜互连;低介电常数介质;界面特性;扩散阻挡层
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