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脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的光谱椭偏研究
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:TN304.055[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(61235006)
中文摘要:

采用脉冲直流反应磁控溅射技术在不同的占空比条件下制备了氧化钒薄膜。利用X射线光电子能谱仪测定了薄膜的组分,用光谱椭偏仪在300~850nm的波长范围内对薄膜的光学性质进行了研究。实验结果表明降低占空比具有促进金属钒氧化的作用,而通过采用TaucLorentz谐振子色散模型结合有效介质近似模型对椭偏参数Ψ和Δ进行拟合,得到了较为理想的拟合结果。薄膜的复折射率和透过率均由椭偏拟合结果确定,结果发现占空比的下降,导致了可见光范围内薄膜折射率和消光系数的降低以及透过率的提高。

英文摘要:

Vanadium oxide thin films were prepared by pulsed DC reactive magnetron sputtering under different duty cycles.The composition of the deposited films was determined by the X-ray photoelectron spectroscopy,and the optical properties of the films were investigated by a spectroscopic ellipsometer in the wavelength range of 300~850nm.The experimental results show that decreasing the duty cycle favors can enhance the oxidation of vanadium.And the best fitting results of the ellipsometric parametersΨandΔcan be obtained by using the Tauc-Lorentz oscillator associated with the bruggeman effective medium approximation model.The complex refractive index and transmittance of the films were determined from the fitted ellipsometric parameters.And it is found that decreasing the duty cycle will lead to a decrease in the refractive index and extinction coefficient,but an increase in the transmittance.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924